Cvmap 92/3093系列能获得高达10MHz不同频率下的C-V曲线和宽电流量程范围内的I-V曲线，这些测试无需通过金属沉积、光刻胶处理和刻蚀等样品制备过程。本系统通过1-3个汞接触（取决于测试面积的大小）和独特的测试机制来实现多类样品物理参数测试的Mapping能力，具有极高的重复性，可测试的样品包括绝缘体上硅、高K薄膜、低K薄膜、极薄和极厚的氧化膜、化合物半导体、超浅结层及碳膜等。

系统软件都能够分类整理好存储的数据，分析并传输这些数据到各个单元，并显示在一个适当的界面中。晶圆特性如绝缘膜厚、介电常数、漏电流、低剂量的离子注入、外延掺杂密度、载流子寿命等，都将会Mapping显示；氧化膜的完整参数，如Qbd、TDDB、缺陷密度、击穿电压及界面陷阱分布等，亦能被确定以及Mapping。同时，通过连接外部的探针测试系统，诸如Si、Al及其他一些长有金属栅极的晶圆亦能够测试得出。此系统同样可以用于检测炉的污染情况。

本系统能更好的测试各种难以测试的样品

用户可根据自身情况选择类似安捷伦E4980A的阻抗仪或使用系统内部的积分器测量电容的大小。这意味着用户可以选择最合适的配置去测试最正确和恰当的C-V曲线，或对不同的配置得到的测试结果进行对比研究。增加/减少、脉冲跳动、斜升/斜降的偏差能够用于测试样片的研究中，而这种研究亦能通过外部的阻抗仪去获得C-V、I-V、Q-V、C-t、It、Q-t等数据，从而完成对诸如掺杂浓度、陷阱分布、TDDB以及载流子寿命等参数的提 取 。 可 变 化 的 恒 定 电 流 同 样 可 应 用 于Qbd的样片测试中。同时，可设定测试时间以避免不必要的干扰瞬间，汞接触面积在测试确定的氧化缺陷密度时可以很大，在测试内部击穿电压时可以很小，在测试常规的CV时可以是中等大小。SiC外延层的设置同样允许电压峰值提取和电离子吹气。

本系统还可用于设置进行超过1000V的电击穿试验，试验频率远高于1MHz的C-V测量，以及对绝缘体上硅的特性测试。特别是在大部分的试验中，无需变换硬件便能进行多种测试方法，无疑能够极大的减少时间提高效率。同时，有些测试还能通过编程一个接着一个自动完成测试。而这对于研究不同的样品的特性是十分有帮助的。用户可根据实际情况选择自动峰值电压提取和用电离空气吹走粒子。

先进的操作软件：

该软件设计简洁但功能强大。

多用户管理功能：

能访问的软件操作功能，如晶圆映像、设置测试方式、完成故障排除、回看已存储的数据（针对特定用户）。这些访问功能都可由工程师进行配置。

多功能的配置测量方法：

测量方法能进行多功能配置。每种测试方法都由一种参数组合构成。

测试参数：这些参数决定晶圆片将如何被测试，如测试频率、脉冲幅度、偏置电压、倾斜度以及脉冲计时等。

分析参数：这些参数决定晶圆片如何进行分析，如分析常量、物理模型及公式等。

显示参数：这些参数决定显示格式，即在 XY坐标中显示出详细范围内的彩色mapping图组合情况。

测试位置：这些参数将确定晶圆片的哪些位置将被测试 ，在笛卡尔坐标或极坐标中，可测试晶圆上的任意位置。

存储数据库：
访问存储数据库十分轻松。只要输入一些标准的搜索准则，例如晶圆尺寸、fab、设备、操作者、完成测试的时间等，该软件便会自动进行搜索。当搜索的数据出现后你就能很轻松的获取你所需要的存储数据集了。

全面的显示和打印输出：

由彩色高分辨率的图片显示输出，特别是轮廓和3D图形显示，此显示像网格或轮廓一样 ， 并可根据情况选择是否需要参考背景。还有不同类型的外径XY坐标以便详细说明相关曲线。所有这些显示及输出都可根据用户的实际情况进行选择。

特征：
出色的汞接触面积、重复性、清洁性和安全性
得益于制造汞探针的特殊方法和每次汞接触之前的汞清洁安排，汞接触的位置重复且汞不会粘附在晶圆上。汞容器是用一种能自动关闭口的橡胶层制作，主要是为了防止汞意外溢出。由于汞探针是面向上的，所以汞不会从探针滴下；再者这种设计保证了足够大或者小的汞接触。此外，峰值提取和电力吹气同样帮助很多。