MDC汞探针可通过探测汞与晶圆片接触形成的区域快速、方便和无损地测量半导体样品。MDC汞探针可以连接到C-V表头、电化半导体测量系统、IV曲线测量或用于其他掺杂测量仪。汞探针消除了耗时的金属化工作，使其成为半导体工艺过程监测应用的理想工具。MDC汞探针的精确性和重现性使它们对研发应用具有吸引力。

MDC汞探针与同心点和环形汞电极以及背面接触的半导体晶片接触。这种接触安排大大提高了这一过程监测工具的通用性，将汞探针技术引入到新的测量应用中。

氧化样品：汞作为栅极触点形成氧化汞硅MOS器件，用于室温C-V图或I-V测试。使用适当的仪器，这些图可以分析许多氧化物和衬底参数，如介电常数，平坦带电压，阈值电压，界面陷阱密度，衬底掺杂，氧化物完整性，和低剂量离子注入掺杂剖面。

三种模式：

1. 前-后接触
2. 双触点
3. 前后接触与保护环
•很少或根本不需要样品准备。
•用于半导体和绝缘体。
•单控制臂操作。
•独特的清洗控制确保清洁水银总是与晶片接触。
•水银是是真空驱动，确保安全使用，。
•铸造铝基材料确保质量可靠。
•具有完整的真空泵，电缆，控制箱与真空调节器，和一个全面的操作手册。
•选择遮光罩可进行光敏测量