德国SemiMap公司COREMA – WT高阻测量系统用于GaAs, SiC, InP, GaN and CdTe衬底材料的非接触电阻率Mapping测量系统。半绝缘III-V族化合物半导体（如GaAs and InP）的电阻率范围通常处于1E6-1E9 Ωcm之间，半绝缘的SiC晶圆电阻率范围宽至1E5-1E12 Ωcm，甚至更大，实际上SiC, Cd(Zn)Te 和GaN的电阻率取决于制造工艺和晶圆上不同的位置。因此，为了对材料质量和晶体生长、晶圆制造工艺流程更好地监控，日常对电阻率的绝对值和其在晶圆横向位置上的变化测量成为必须。对晶圆电阻率的全局把控需要大量的单点测量数据，这些数据的获得需要高速和具备良好的重复性以满足批量生产的需求。
德国SemiMap公司COREMA – WT高阻测量系统通常为用户提供日常半绝缘晶圆产品的质量控制和评价。用于标准的
III-V族化合物半导体（如(GaAs and InP）的电阻率范围覆盖1E6-1E9 Ωcm，用于SiC，GaN或其他高阻在研材料时，其测
量范围可扩充到1E5-1E12 Ωcm。
COREMA–WT系统对于优化制造工艺以确保晶圆横向均匀性意义重大，电荷瞬变的详细检验利于揭示源于材料不同阶段不同电阻率引起的局部不均匀性。
COREMA–WT系统包含数据处理和结果整理在内的完整测量过程均基于MicrosoftWindows的应用软件。应用软件可以按用户意愿设置、在线监控测量全过程，并能对数据作出统计分析。对于用户测试数据可以通过灰度或彩色或3D形貌显示的方式展示。
COREMA – WT系统标配设备的参数指标如下所示。单独一次的测量耗时仅需100ms，因此，对于1E9Ωcm以下的电阻率的重复测量时间主要决定于机械步进装置。比如，100mm尺寸晶圆，如果步长1.4mm（约4000个数据点），其测量时间约为20分钟。
GaAs, InP, SiC, GaN, Cd(Zn)Te
高分辨晶圆整体电阻率分布测量；
测量电阻率范围：1E5-1E12Ohm-cm；
快速，重复性1%；
非接触测量；
无需样品预制；
晶圆尺寸可达150mm/200mm；
用于晶圆生产和工艺研究
COREMA系列产品
替代低效并破坏样品的霍尔测量方法
无需样品预制；
不浪费晶圆材料；
快速的迁移率测量（1分钟之内）；
高的横向分辨率（1mm）；
非接触；
重复性好
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型号 COREMA – WT COREMA – RM COREMA – ER COREMA – VT |
测量能力 全自动整体电阻率分布非接触测量 手动多点载流子浓度、迁移率和电阻率非接触评估； 外延缓冲层电阻非接触测量(如SIC衬底上的GaN外延层） 不同温度下（高至600K）的电阻率测量，活化能评估 |
COREMA – Wt
1.1机械平台平台移动速度：最高40 mm/sec；
定位精度：10 μm
1.2 测量系统
技术指标：
测量范围：1E6 – 1E9 Ωcm（GaAs 和 InP）
1E5 – 1E12Ωcm （SiC, GaN, CdTe 和 CdZnTe）
传感器尺寸：1mm直径；
重复性： 1E5 – 1E9 Ωcm: 1%
1E9 – 1E11 Ωcm: 5%
1E11 – 1E12 Ωcm: 10%
边缘去除：2.5mm；
电阻率测量时间：270 ms @ 17 Ωcm，含1mm步进移动时间；
晶圆整片测量时间：20 min，(100mm直径晶圆，1.4 mm x 1.4 mm步长)
温度归一化：到理想的参考温度值（活化能测量要求）
软件：专用测量分析软件；
技术指标：
操作：界面友好，菜单控制全程；
晶圆整体形貌：1024 x 1024数据点；
矩形面积：区域人选，Mapping网格可调；
局部测量：用户自定义；
行扫描：直径或半径的水平或垂直扫描；
1.5 选项
具备不同的升级和改造选项，包括遮光罩、用户定制尺寸的
样品卡盘和更小的探头尺寸等，升级和改造后的具体技术指标视情况有所不同。
技术指标
样品装载：手动；
样品厚度：250-1000um
晶圆直径：2”-100mm；
温度范围：室温-400°C；
升温速率：最高2°C/s；
强制风冷：10°C/min
测量系统
组成部分
电荷放大器（特殊设计）；
开关切换WT电子设备（软件驱动）；
技术指标：
传感器：直径6mm；
横向分辨率：8mm；
传感器中心与样品边缘的最小距离：4mm；
外延层电阻范围：1E6-5E12Ohm；
衬底电阻率：> 10 ρe (ds/de)，其中：pe为外延层电阻率；ds为衬底厚度；de为外延层厚度；
重复性：1E6-1E9Ohm：1%；1E9-1E11Ohm：5%
测量控制
组成部分：
计算机：微软windows系统，带有光驱及网卡；软件：
专用测量分析软件，界面友好；
