美国Lehighton Electronics（LEI）生产

LEI‐3200RP 是将无损迁移率测量单元LEI‐1610E100与无损方块电阻测量单元LEI‐1510)相结合，可以提供测量0.035‐3000 欧姆/方块薄膜电阻的测量能力，迁移率测量可低至100 cm2/V‐s，并可进行多种建模。