美国Lehighton Electronics（LEI）生产,利用涡流原理进行非接触方块电阻测量。

LEI非接触方块电阻（薄膜电阻）测量系统是半导体生产工艺控制、产品质量监测和提高产品良率的检测设备。包括对GaAs晶片如外延层、半绝缘衬底、掺杂衬底、退火离子注入质量有效监控；对硅片如体硅、外延、离子注入、在高阻衬底上掺有POCl3及金属薄膜的加工进行全面有效监测。

主要特点:

Model 1510E标准型无损方阻测量系统是普及型,按测量功能、速度、精度分为：

1. 1510EA 具备最多17点简易Mapping功能，测量速度较1510EC慢1倍，

精度（Linearity）：< ±4%。

2. 1510EB 先进的Mapping功能，可达300点以上测量，但测量速度较1510EC慢1倍，

精度（Linearity）：< ±3%。

方阻量程:
高量程:15 - 3,200 ohms/sq
低量程: 0.16 - 16.0 ohms/sq
特低量程: 0.032 - 1.6 ohms/sq

主要技术指标：
测量样品尺寸：
2” (50mm) to 8” (200mm) wafers

主要选项:

测试Mapping绘图软件
VLSI标准片（NIST traceable）
可配遮光罩