2.1 化学清洗工作台/电镀台
Chemical Cleaning Workbench/Electroplate Station

美国威发国际(Kinectics\Wafab International)

主要特性指标包括∶

材料∶

聚丙烯(Polypropylene)或不锈钢(304);

石英槽为选项;

微电脑温度控制器∶

槽内温度变化〈±1.0℃(@50℃ );

槽外循环式加热系统∶

可靠易维护;

有过热和水位报警,并可自动加水以维持水位;

(电镀)悬挂式镀槽,4-点阴极接触;直流/脉冲电源;

PLC触屏式控制为选项;

Magatherm石英槽

Magatherm石英槽

过滤系统

循环加热系统

2.2 金刚刀解理划片机
Precision Diamond Manual Scriber

美国戴拿特公司(Dynatex International)

技术指标

GST-100

GST-150

晶园片大小: 最大100mm 最大150mm
晶园片厚度: 40-1725μm(与材料有关)
划痕宽度: <5μm
最小步进距离: 标配5μm(选项2μm)
划片速度: 最大100mm/sec
崩片速度: 2-4 breaks/sec
崩片方法: 背面快速气冲杆(Dynatex的英国专利)
图形识别视觉系统: 自动对准,图形识别,自动探边按设置自动步进及自动校准步进误差
适用的材料: GaAs,inP,GaP.Silicon,Saphire,Quartz
用户可控制的参数: 刀的划片角,下划力,划片速度,刀的进入速度,崩片力度,任意多个管芯尺寸

 

 

2.3 晶园扩张器
Wafer Expander

美国戴拿特公司(Dynatex International)

产品特性:
大量尺寸: 晶片6"直径或更小,5",6"或7" hoop组
快速: 快速的周期时间用于将tape固定到hoop组上并扩张。
精确: 适合用于取放设备
最佳扩张: 恒温控制以及完全可调整加热平台最佳化扩张
清洁: 晶片表面和控制器没有物理接触
技术指标:
最大HOOP组尺寸: 7"
最大晶片尺寸: 6"
温度范围: 100-450C℃或者40-230℃

2.4 球形、楔形键合台
Ball/Wedge Wire Bonding

德国TPT公司(Technical Product Trade)

HB30

HB05

HB16

  手动机型 半自动一型 半自动二型 半自动重型铝丝
楔焊 HB02 HB06 HB12 HB30
球焊 HB04 HBO8 HB14
楔焊+球焊 HB05 HB10 HB16

指标 手动机型 半自动一型 半自动二型 半自动重型铝丝
楔焊 17-75微米 100-500微米
带焊 25*250微米
球焊和跳墩焊 17-50微米
多点联焊
方向控制 XYZ手动 Z向自动 Z和Y向自动
参数设置界面 4.1寸液晶显示,手轮调节 6.5寸触摸屏
自动高度
弧度控制 高度可控 高度和弧度可控
Bondarm悬臂长度 165mm
众深移动 19mm
程序储存 20套 100套
送丝轮 2寸手摇式 2寸电动式 4寸手摇式
精细移动范围 10*10mm 15*15mm
手柄和焊头移动比率 6:1 6:1(选项3:1)
超声频率 62千赫兹
超声功率(最大) 5瓦 50瓦
焊点接触样品时间 20-1000毫秒 15-2000毫秒 0-10秒
焊接力道(剪切力单位:1%牛顿cN) 15-130 15-150 50-1800
内置热台加热能力 250℃(最大)
照明系统 双LED光纤导照 双内置卤素灯光纤导照
管芯取放(Pick&Place 选项
内置拉力测试 选项
铜线焊接 选项
激光定位 选项
电力要求 100-240V/10A
重量 29kg 42kg 50kg
备注 HB05=(楔)+HB04(球) HB10=HB06(楔)+HB08(球) HB10=HB12(楔)+HB14(球)  

2.5 RTP RTCVD
Rapid Thermal Process/Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition

法国AnnealSys公司

AS-Micro

AS-One

AS-Master

指标特点 AS-Micro AS-One 100 AS-One 150 AS-Master
最大衬底直径 75mm 100mm 150mm 200mm
腔体尺寸 85直径×25mm 130直径×25mm 200直径×25mm 300直径×25mm
温度范围 RT-1250℃ RT-1500℃ RT-1300℃ RT-1500℃
升温速率 0.1-250℃ 0.1-200℃ 0.1-150℃ 0.1-200℃
温度控制 快速数字PID 快速数字PID 快速数字PID 快速数字PID
工艺气体管路 3 5 5 6
AS-Micro 主要技术指标
  • 直径最大3英寸(2英寸样品可选3英寸基座)
  • 温度范围:室温到1250°C (± 1°C)
  • 升温速率:最高250°C/s(2英寸硅片可达300°C/s)
  • 气路:最多4路,使用质量流量计MFC控制器。
  • 真空范围:10-3 Torr(Roughing),10-6 Torr(Turbo)

AS-Micro

指标项目 AS-One 100 AS-One 150
样品尺寸 100 mm (4") 150 mm (6")
真空腔室尺寸 130 mm diameter x 25 mm 200 mm diameter x 25 mm
灯管数 /最大功率 12 / 30 kW 18 / 34 kW
最高升温温度(高温选项) 1250C (1500C) 1200C (1300C)
升温速率 0.1C to 200C/s 0.1C to 150C/s
冷却方式 风冷
热电偶 2 个K 型( 中心和边缘各一个)
低温计量程 150C to 1100C
高温计量程 400C to 1500C
红外高低温计 2个(中心和边缘各一个)
气路数量 最高5路
真空 10E-3 Torr (Roughing) 10E-6 Torr (Turbo)

AS-One

指标项目 S20 S20 HT 2000 2000HT
最高温度 1150°C 1500°C 1250°C 1500°C
加热区域 6 6 10 10
最大功率 75 kW 105 kW 90 kW 105 kW
最大样品尺寸 200mm直径或200mmx200mm 矩形
真空腔室 水冷,不锈钢腔壁,低噪音。
加热 红外线分区加热,空气风冷却灯管
温度控制 热电偶和高温计PID控制
真空 10E-3 Torr(Roughing),10E-6 Torr(Turbo)
气路数量 最高6路
控制方式 计算机控制,提供超过100个不同要求处理工艺程序

AS-Master

2.6 高效涂胶显影一体机
P8010 Advanced Linear Track System

美国 C&D 公司(C&D Semiconductor Services Inc.)

P8010 Technical Data
Available modules Coater, developer, hot plates, chill plates, vapor prime
Transfer Method Automatic transfer arm with improved design maintaining end-point placement to within ± 0.1 mm over 300,000 wafers
User Interface Windows-based operating system with smartPro GUI
Transfer Mode Serial transport
Indexer SEMI standard H confguration
Coater Spin motor: 50 RPM-9500 RPM in 10 RPM increments (Optional brushless motor with digital controller)
# of Dispenses: Up to four
Solvent nozzles: Top and bottom EBR
Developer Spin motor: 50 RPM – 9500 RPM in 10 RPM increments (Optional brushless motor with digital controller)
Stream and spray nozzles
Hot Plate Hot plate temperature: Up to 300˚C (optional temperature to 400˚C)
Uniformity: ±0.5% (50˚C -300˚C)
Bake method: Contact or fxed/programmable proximity options
Chill plate Standard house chilled water
Optional high efciency chiller at ambient ± .1˚C – Option
Vapor Prime Temperature range25˚C to 190˚C
Method: Programmable and/or fxed proximity bake capability

2.7 铜凸点金属膜显影机
P8060 Copper Bump Developer

美国 C&D 公司(C&D Semiconductor Services Inc.)

P8060 Technical Data
Available modules Copper bump developer
Wafer size 50 mm - 200 mm wafers
Transfer Method Automatic transfer arm with improved design maintaining end-point placement to within ± 0.1 mm over 300,000 wafers
Transfer Mode Serial transport
User Interface Windows-based operating system with smartPro GUI

2.8 高性价比涂胶显影一体机
SVG8X Track System

美国 C&D 公司(C&D Semiconductor Services Inc.)

SVG8X Technical Data
Available modules Coater, developer, hot plates, chill plates, vapor prime
Wafer Size 88X 50 mm - 200 mm
86X 50 mm - 150 mm
Transfer Method 88X - Automatic transfer arm
86X - Belt transfer
User Interface Card cage control (with optional Recipe Master for 88X)
Transfer Mode Serial transport
Indexer SEMI standard H confguration
Coater Spin motor: 50 RPM – 9500 RPM in 10 RPM increments
(Optional brushless motor with digital controller)
# of Dispenses: Up to four
Solvent nozzles: Top and bottom EBR
Developer Spin motor: 50 RPM – 9500 RPM in 10 RPM increments
(Optional brushless motor with digital controller)
Stream and spray nozzles
Hot Plate Hot plate temperature: Up to 300˚C
(Optional temperature to 400˚C)
Uniformity: ±0.5% (50˚C -300˚C)
Bake method: Contact or fxed/programmable proximity
Chill plate Standard house chilled water
Optional high efciency chiller at ambient ± .1˚C – Option
Vapor Prime Temperature range25˚C to 190˚C
Method: Programmable and/or fxed proximity bake capability

2.9 涂胶显影簇群系统
P9000 Cluster System

美国 C&D 公司(C&D Semiconductor Services Inc.)

P9000 Technical Data
Feature Sizes ≥ .35μ
Resist dependent and assumes temperature/humidity
control within fab of ±1.0ºC and ± 3% relative humidity.
User Interface Windows-based operating system with smartPro GUI
MTBF ≥ 500 hrs, or 12,000 wafers (Based on C&D’s PM schedule)
MTTR ≤ 1 hour
Uptime 95% or better
Wafers Broken 1 in 10,000 wafers
Reliability 95% uptime in volume process manufacturing
System throughput 100+ wafers per hour (Configuration & Process Dependent)

2.10 P7000 高效合金炉
Efficient Alloying Furnace

美国 C&D 公司(C&D Semiconductor Services Inc.)

型号 SmartPro P7000
晶圆尺寸 2 到 8英寸
温度 可达500°C
速度 典型20片/小时
主要优点 可靠、操作简单、高效、实现了片盒(C to C)功能
无限接近加热方式,加热板不接触晶片背面,实现低翘曲 无、高均匀性和高重复性
多路气体,实现可控环境和缓冷却
升降温速率通过变化晶片到加热板的距离实现,控制精确、简单,反应快
可手动和全自动控制,效率高,一般为RTA处理效率的两倍
高性价比,价格和比普通RTA低

2.11 RV129手动划片、裂片器
Manual Scribing Machine

德国优尼藤公司(UniTemp)

主要手动划片机 性能指标
型号 RV-129 RV-125 RV-126 RV-127
划线长度 250mm 125mm 200mm 400mm
划片宽度 240mm 95mm
走片精度 0.01mm 0.05
样品厚 <=10mm <=9.5mm
进刀角度 可调
划片压力 5-581g可调
特色 可根据划线长短设定触刀和抬刀位置 机械限位止刀
带"十"字定位精确显微镜 无"十"字定位功能
真空吸附工作台可旋转,角度分辨率0.006° 工作台不旋转

2.12 MOCVD 化学气相淀积系统
MOCVD Chemical Vapor Deposition Systems

法国AnnealSys公司

型号 MC050 MC100 MC200
晶圆尺寸 2英寸 4 英寸 8英寸
应用

半导体: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...
高 k 电介质: SrTiO3, BaTiO3,Ba(1-x)SrxTiO3(BST) 铁电质: SBT, SBTN,PLZT, PZT...
超导体: YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …
压电: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性钛酸铅
金属 : Pt, Cu, ...
超磁电阻
热涂敷
缓冲层
金属层、光学等

温度 up to 1200°C up to 850°C up to 850°C
真空 大气压——10E-3 Torr
蒸发器 多达6路 多达4路 多达4路
气路 多达6路,MFC控制
工艺腔 石英管(配水冷不锈钢法兰) 可控温不锈钢冷壁,可旋转样品座 可控温不锈钢冷壁,可旋转样品座
加热 卤素灯 电阻丝 电阻丝
温度控制 完全数字化PID控制

2.13 Spray CVD 化学气相淀积系统
Spray CVD Chemical Vapor Deposition Systems

法国AnnealSys公司

型号 SprayCVD 050 (可同时用于退火)
晶圆尺寸 2*2 英寸
应用

离子注入后退火
化合物半导体退火
结晶化和致密化
太阳能电池: SnO2, ZnO, TiO2, In2O3,…
光电涂层: NiO, Co3O4,…
铁电记忆体: SrTiO3,…
绝缘阻挡层: MgO,…
催化活化涂层: Co3O4 , NiCo2O4,…
半导体: Nb2O5,…
超导体: YBCO,…
电致变色涂层: WO3,….
固体氧化物燃料电池 (SOFC): ZrO2, YSZ, GCO,…

温度 室温——1200°C
真空 大气压——10E-3 Torr
气路 多达3路,MFC控制
工艺腔 石英管(配水冷不锈钢法兰)
加热 卤素灯(可选上、下加热方式)
温度控制 完全数字化PID控制

2.14 LPCVD 低压化学气相淀积系统
LPCVD Low Pressure Chemical Vapor Deposition Systems

法国AnnealSys公司

型号 LP100(单管) LP102(双管)
晶圆尺寸 4英寸
应用

富氮无应力硅
LPCVD
退火
氧化等

温度 室温——1000°C(可选1150°C)
真空 大气压——10E-3 Torr或10E-6 Torr
气路 多达12路,MFC控制
工艺腔 石英管(235mm*1200mm),两端不锈钢法兰,水冷
温度均匀性 +/-1%
温度控制 R型热电偶,PID 3区控制

2.15 BenchMark 800 RIE & PECVD
BenchMark 800 Reactive Ion Etching & Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

美国Axic公司

型号 Benchark 800
特点 1——8英寸
多至6路工艺气体,带MFC控制
配备反应离子刻蚀的水冷电极
热底电极板和水冷上电极板,用于增强等离子体化学气相淀积(PECVD)
刻蚀(SiO2&Si3N4):100°C/1500 2000Amin/均匀性+/-5%
增强等离子体CVD(PECVD)(SiO2&Si3N4):300°C/500Amin/均匀性+/-5%

2.16 PlasmaStar RIE & PECVD
PlasmaStar Reactive Ion Etching & Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

美国Axic公司

型号 PlasmaStar
特点 12英寸*14英寸等离子体区域
多至4路工艺气体,带MFC控制
采用平行电极,上电极带有喷雾头,下电极具备水冷功能
可选笼式电极

2.17 MultiMode HF-8 RIE及清洁系统
MultiMode HF-8 Reactive Ion Etching and Cleaning Systems

美国Axic公司

型号 PlasmaStar
特点 12英寸*14英寸等离子体区域
多至4路工艺气体,带MFC控制
采用平行电极,上电极带有喷雾头,下电极具备水冷功能
可选笼式电极

2.18 等离子体清洁系统
Plasma Processing Systems

意大利SCI自动化有限公司

广泛应用于电子行业,特别是:焊线前清洁铜引线框、焊线前去除有机污染物、增加塑封成型前的粘合度、增加芯片与引线框/PBGA的粘合度、底部填充前增加倒装芯片封装的粘合度、半导体封装应用中去除助焊剂、一般活化、清洁及去污、晶片清洁及活化等。
SCI等离子体清洗系统
型号/指标 在线(in-line)系统 独立(standalone)系统
QUADRIO(1型) QML(In Line型) VESTA(STD型) QUADRIO(4&5型) TITAN(M型) PHILO(STD型)
射频频率 13.56MHz
射频功率 300W 600W 300W
压力范围 0.2-1mbar 0.1-1mbar
机器尺寸 505*1450*1700(高)mm 450*1270*1550(高)mm 1000*1300*1500(高)mm 700*1700*1400(高)mm 694*950*1850(高)mm 700*900*1200(高)mm
腔室材料 铝或钢
电极类型 平板电极 平板电极 等离子类型:直接式,反应离子蚀刻或无离子式 平板电极 2对平板电极或1个笼式电极 一对平板电极
腔室容量 单个引线框架最大尺寸280*80*2mm 引线框架最大尺寸280*80*2mm 根据需求定制 4至5个280*80*2(高)mm引线框架 3个开槽料盒300*200*100mm,或更多小尺寸(料盒) 350*350*50(高)mm
MFC气路 2 1 2
工艺气体 氩气/氢气 95/5%;氮气/氢气 95/5%;氩气/氧气 以各种不同的比例混合;氧气;其他所需气体
说明 由通用交接运输带接收上游工序基板物料,送入加工腔及下游工序,使用SMEMA12协议 可以直接从4或5个料盒上料/下料单引线框架,产能可高达500引线框架每小时