1.1非接触非损伤方块电阻测量仪
Contactless Bulk Resistivity / Sheet Resistance Measurement and Mapping Systems

美国利高敦Lehighton Electronics(LEI)

美国利高敦Lehighton Electronics(LEI)生产,利用涡流原理进行非接触方块电阻测量。
应用于:所有的化合物半导体,如SiC、GaAs(外延层、半绝缘衬底、掺杂衬底、退火离子注入)、硅晶片(体硅、外延、离子注入、在高阻衬底上掺有POCl3)、金属薄膜等.
LEI 1510M40
量程 方块电阻Ω/sq 重复性% 体电阻率Ω-cm
HI 3000 2.50 200
400 0.40 25
15 0.20 1
LO 15 1.50 1
2 0.50 0.1
0.2 0.50 0.01
XL 1.5 0.70 0.1
0.2 0.55 0.01
0.035 0.55 0.005
备注:纯手动,不带电脑;样品尺寸15——200mm。
LEI88型
量程 方块电阻Ω/sq
HI 16 - 3,200 ohms/sq
LO 0.16 - 16.0 ohms/sq
XL 0.032 - 1.6 ohms/sq
备注:带笔记本电脑,最大样品150mm。
LEI 1510E
量程 方块电阻Ω/sq 重复性% 体电阻率Ω-cm
HI 3000 2.50 200
600 0.40 25
15 0.20 1
LO 15 1.50 1
1.6 0.50 0.1
0.16 0.50 0.01
XL 1.6 0.70 0.1
0.16 0.55 0.01
0.035 0.55 0.005
备注:具有MAPPING功能,2D/3D图形输出,数据输出;可选配遮光罩。2-8英寸。
LEI 1510ERP
量程 方块电阻Ω/sq 重复性% 体电阻率Ω-cm
HI 3000 2.50 200
600 0.40 25
15 0.20 1
LO 15 1.50 1
1.6 0.50 0.1
0.16 0.50 0.01
XL 1.6 0.70 0.1
0.16 0.55 0.01
0.035 0.55 0.005
备注:具有MAPPING功能,2D/3D图形输出,数据输出;可选配遮光罩。2-8英寸。
LEI 1510ERS
量程 方块电阻Ω/sq 重复性% 体电阻率Ω-cm
HI 3000 2.50 200
600 0.40 25
15 0.20 1
LO 15 1.50 1
1.6 0.50 0.1
0.16 0.50 0.01
XL 1.6 0.70 0.1
0.16 0.55 0.01
0.035 0.55 0.005
备注:1.具有MAPPING功能,2D/3D图形输出,数据输出;可选配遮光罩。2-8英寸
  2.另有300毫米、12英寸版本LEI RS300。
LEI 1800LS 平板显示及太阳能电池片专用mapping(手动)
量程 方块电阻Ω/sq
HI 15 - 3,200
LO 0.16 - 16.0
XL 0.032 - 1.6
备注:带笔记本电脑;精度+/-5%;样品75*75——600*600,厚度达到12mm。
LEI 1800AG Gantry 平板显示及太阳能电池片专用mapping(自动)
速率 10点每分钟
样品 最大1000mm×1100mm
mapping Yes

1.2 非接触迁移率测量系统
Contactless Carrier Mobility/ Carrier Density/ Sheet Resistance Measurement and Mapping Systems

美国利高敦Lehighton Electronics(LEI)

参数与系统 1610E100M 1610E00AM 1610E100AM-RP
磁铁 电磁铁(1.0T)
迁移率(cm2/v.sec) 100-20000
方块电阻(ohm/sq) 100-3000
载流子面密度(cm-2) 1E11-1E14
动态重复性(迁移率/面密度) 4.0% 3.0% 3.0%
动态重复性(方块电阻) 3.0% 2.0% 2.0%

静动态重复性(迁移率/

面密/度方块电阻)

2.0% 1.0% 1.0%
样品尺寸 2"-8"英寸
探头线圈直径 21mm(可选14mm)
Mapping功能 最多9点 最多55点 最多55点
Wafer Loading 手动 手动 自动
Wafer Positioning 手动 自动 自动

LEI-1600系列非接触迁移率测量系统是半导体生产工艺控制、产品质量监测和提高产品率的检测设备,常应用于无损测量化合物半导体材料的迁移率、载流子浓度、方块电阻。测量样品包括GaAs (pHEMT, HEMT, HBT),GaN(HEMT,LED),SiC,SiGe,InP,Si等的外延结构。

无需破坏、切割昂贵的样品,实现大样品mapping

无需腐蚀,不改变样品的特性

不再需要制作恼人的电极

可同时分析多层载流子

1.3 汞探针及载流子浓度分布测量仪
Mercury Probes and Carrier concentration Distribution Measuring Instrument

美国利高敦Lehighton Electronics(LEI)

型号:LEI 2017
汞芯大小(固定) 0.64mm(.025")
1.27mm(.050")
1.91mm(.075")
2.29mm(.090")
型号:LEI 2017B
汞芯大小(可变) 0.46mm(.018")
0.64mm(.025")

1.4 汞探针电容/电流-电压(C-V,I-V)分析仪
Mercury Probes Capacitance/Current-Voltage(C-V,I-V)
Analyzer

美国MDC

型号 尺寸 mapping 可连接的仪表包括
802B-150-6" 150mm no 1 MHz:
Boonton 7200, 1 MHz capacitance/conductance, +/- 100 Volts
Variable Frequency:
Agilent E4980A capacitance/conductance (20 Hz to 2 MHz), +/- 40 Volts
Agilent 4285A capacitance/conductance (75 kHz to 30 MHz), +/- 40 Volts
Agilent B1500A Semiconductor Device Analyzer (1 kHz to 5 MHz), +/- 25 / 100 Volts
Keithley 4200 capacitance/conductance (1 Hz to 10 MHz), +/- 200 Volts
Agilent 4294A Precision Impedance Analyzer (40 Hz to 110 MHz), +/- 40 Volts
Quasi-static:
Agilent 4140B, +/- 100 Volts (Refurbished Only)
Agilent B1500A, +/- 25 / 100 Volts
Keithley 4200, +/- 200 Volts
Current Meters:
Keithley 4200, +/- 200 Volts
Keithley 2600 Series, +/- 40 or 200 Volts
Keithley 2400 Series, +/- 200 / 1100 Volts
Keithley 237, +/- 1100 Volts
Agilent 4140B, +/- 100 Volts (Refurbished Only)
Agilent B1500A Semiconductor Device Analyzer, +/- 100 Volts
802B-200-8" 200mm no
862B-12" 300mm yes
864B-14" 355mm yes
可定制尺寸、定制汞接触区域
SiC及GaN测量
可升级电脑定位控制(802C/862C)

1.5 四探针方块电阻测量仪(4PP)
Four-Point Probe Mapping Systems

AIT CO., LTD.

型号 测量尺寸 测量范围 测量精度 探头 电脑控制/mapping
SR1000N 8吋/140*140mm 1mohm/sq——2Mohm/sq 0.5% VLSI 英国Jandel原装探头
间距:25-50mils(间隔5mils)
压力:10g/pin-250g/pin
针尖半径:12.5-500micron
LCD面板显示
SR2000N 8吋 Yes
SR2000N-PV 156*156mm
SR3000 用户定制
SR5000 12吋/210*210mm

1.6 光学线宽测量
Optical Critical Dimension

Model: Micro-line 300 is shown

Measurements

测量线宽:0.5-40μm(100x 物镜)/10-800μm(5x 物镜)

线宽测量重复率:4nm(1σ)on wafer,2nm(1 σ)photomasks

XY 定位工作台

XY平移:8"x8"(other size avaialble)

显微镜

放大倍数:10X 和 10XBF标准镜头

照明:反射为标准配置,透射式为选项

1.7 椭偏谱仪(SpecEl-2000)
Spectroscopic Ellipsometer

德国麦可派公司(Mikropack GmbH)

指标特点
测量范围: 1nm-5μm
准确度: 厚度:1.5 or 1%
折射率:0.005
重复率(@100nm): 0.05nm
光斑大小: 2x4mm(选项 0.2x0.4mm)
波长范围: 450-900nm(选项380-780nm)
波长分辩率: 0.1nm
可测量层数: =>3
测量速度: 3-15秒
样品台机械容差: 高度:+/_1.5mm
角度:+/_1度

1.8 膜厚仪(反射谱仪NanoCal-2000)
Film Thickness gauge(Reflection spectrometer NanoCal-
2000)

德国麦可派公司(Mikropack GmbH)

指标特点
测量范围: 10nm-250μm
重复率 0.3nm
光斑大小: 200-800μm
波长范围: 250-1100nm
波长分辨率: 1nm
可测量层数: <=3
测量速度: 100ms-1s
样品台机械容差: 高度:无需
角度:+/_1度

1.9 等离子体谱线分析仪 (PlasCal-2000)
Plasma spectrum analyzer

德国麦可派公司(Mikropack GmbH)

指标特点
波长范围: 200—1100nm
波长分辨率: 1nm半宽
应用: 气相薄膜沉积
等离子体刻蚀
表面清洁
磁控贱射
光学镀膜
终点测量(End-pointing)

1.10 自动/半自动探针台/晶体管测试台
Automatic/Semi-automatic Probe Station/Transistor Measuring Systems

美国西太平洋公司(Pacific Western Systems)

主要特性参数指标∶

  • 载片台移动范围∶6.8 X 8.5英寸(XY)
  • 载片台可转动角度∶ +/- 7.5度
  • 载片台平整度∶+/- 0.0005英寸
  • 移动精度: +/- 0.00025英寸
  • 最小步距∶ 0.0001英寸
  • 最大移动速度∶ 5英寸/ sec
  • 移动重复性 +/- 1.25 μm
  • 图形识别及自动对准,自动快速准确
  • 标准参数∶Icbo, Iebo, V(BR)CEO, V(BR)CBO,etc
  • 结果自动分类,表格输出及图形输出,
  • 可多色喷墨打点分类。
  • Keithley或Agilent的多功能万用表。

1.11 自动/半自动LED测试系统
Automatic/Semi-automatic Measuring Systems

美国西太平洋公司(Pacific Western Systems)

主要特性参数指标包括∶

  • 标准参数∶正反向电压,反向电流,光通(P, Pv),
    光强(I,Iv),峰值或主波长(λp,λd),
    谱宽(FWHM),等等。

结果自动分类,表格输出及图形输出。

1.12 多功能HAWK-1000拉力、剪切力测试仪
Multifuncional HAWK-1000 Peel Force Tester

CE TEK CO., LTD.

指标特点
控制软件: 简单易用的强大Windows图形软件,功能包括控制、校准、分析、SPC等
X/Y工作台: 可定制:50--450mm
X/Y/Z/θ控制: 左右速度可控手柄(Joystick)
测试控制: 左手柄上按钮触发
工作高度回退: 右手柄上按钮触发
测试模块: Wire 拉力模块
Die 剪切模块
Stud 拉力模块
激烈碰撞模块
钳子拉力模块等
光学影像系统: YES
标准和认证: JEDEC、MILS、EIA、ISO9001、ISO14001等

1.13 手持笔形HAWK-100拉力、剪切力测试仪
Hand-held Pencil HAWK-1000 Peel Force Tester

CE TEK CO., LTD.

主要特点

1. 可进行线拉力、球剪切力、Die剪切力、SMT剪切力测试

3. 拉力精度最大可达±0.2%

4. 加载选项:100g、500g、1Kg、5Kg

5. 数据LCD显示,可使用USB输出至PC

6. 可根据需要升级为手动拉力、剪切力测试机

1.14 真空检漏计 (LD-100)
Vacuum Leak Detector

德国优尼藤公司(UniTem)

检测极限: 1x10-3 mbar/liter/second

最大可检测真空: 800 mbar

不需要氦气(He)!

无需笨重的涡轮加压泵(turbo pump)!

1.15 PIND颗粒碰撞噪声测试仪 (SD 4511)
Particle Impact Noise Detection

美国谱动(SPECTRAL DYNAMICS)

    颗粒碰撞噪声侦测(PIND)通过碰撞电子元件,如晶体管、集成电路、混合电路、二极管、继电器和开关设备,使其内部空腔的细小颗粒松散,从而产生声音信号。PIND通过"听"声音信号来判断电子元件的完整性。

    颗粒碰撞噪声侦测往往用于电子元件的完整制造,因为它被认为是检测成品经济又有效的最好方法。PIND测试已被写入最广泛应用的军用标准883-方法2020,军用标准750-方法2052,军用标准202F-方法217,军用标准39016-中,同时也被列入微电路和半导体S级别的要求。

主要技术指标
振动冲击范围: 100-2500G;(分辨率10G)
振动频率范围: 正弦25-250Hz;(分辨率1Hz);随机波形可选
振动幅度范围: 0.1-25.50G;(分辨率0.1G)
噪声传感器灵敏度: -77.5±3dB re 1V per Microbar at 155 kHz (ANSI 2.1-1988)
单个传感器敏感区域: 0.75” 为半径的圆形区域
工作台最多容纳噪声传感器个数: 5
工作台面尺寸: 直径50mm,100mm或150mm,或矩形台面150x50mm
最大可测器件质量: 1200Grams

1.16 薄膜应力&晶圆弯曲(翘曲)测试系统
Film Stress & Wafer Bow Measurement System

美国FSM(Frontier Semiconductor)

薄膜淀积后,随着温度降低,由于衬底与薄膜热膨胀系数差异,从而导致应力和弯曲(翘曲)。FSM集成世界领先的无损激光扫描技术,每毫米扫描40个数据点,可快速生产2D、3D彩图。
室温系统 FSM 128 最大样品直径200mm
FSM 128L 最大样品直径300mm
FSM 128G 最大样品550×650mm
变温系 FSM 500TC 电阻加热工作台:温度可控,最高500℃
FSM 900TC-vac RTP型腔室:温度可控,最高900℃(可选1100℃);真空达到 1E-6 Torr

1.17 椭偏谱仪、光谱椭偏仪

美国 J. A. Woollam Co.

型号:M-2000

无论是科研还是工业生产,M-2000丰富多样的配置(多种波长范围,多种角度变化等)一定可以满足您的不同需求。旋转补偿RCE专利技术保证测量的准确性,高速CCD传感器使全光谱扫描可在几秒钟内完成。

M-2000 主要技术参数
探测器:CCD 数据采集时间:3秒(快速模式),10秒(标准模式),30秒(长时模式)
信号准确度*:Ψ = 45°± 0.075°  Tan(Ψ)=1±0.0013
Δ = 0° ± 0.05° Cos(Δ)=1± 0.0000015
* 无样品直接测量入射光束,95% 的测量波长满足以上指标
厚度测量重复性*:Std.Dev = 0.02 Å(标准偏差)
* 30次重复测量样品SiO2(25nm)/Si-sub,70°入射角
准直光束光斑:椭圆型2-5mm
 最小光斑25X60微米(视不同配置而不同,以报价为准。)
自动样品移动台:XY方向 300mm X 300mm
最大样品尺寸:Φ300mm 样品最大厚度: 20mm

型号:Alpha-SE

这是一款高性价比的手动变角光谱型椭偏仪。设计紧凑,使用简易,是理想的薄膜分析工具。旋转补偿RCE专利技术保证测量的准确性,高速CCD传感器使全光谱扫描可在几秒钟内完成。

Alpha-SE 主要技术参数
光谱范围::380nm 到 900nm (180 个波长)  探测器:CCD
入射角::65°、70°、75° 或 90°,方便转换 计算机连接方式: USB接口
样品台高度自动调节 数据采集时间:3秒(快速模式)10秒(标准模式)30秒(长时模式)
信号准确度*:Ψ = 45°± 0.1 Δ = 0° ± 0.2
* 无样品直接测量入射光束,98% 的测量波长满足以上指标
厚度测量重复性*:Std.Dev = 0.15 Å(标准偏差)

* 30次重复测量样品SiO2(25nm)/Si-sub,70°入射角

型号:VASE

VASE(Variable Angle Spectroscopic Ellipsometer)变角椭偏谱仪,是精确、通用的椭偏谱仪,适用于研究、分析所有类型的材料:半导体、电介质、聚合物、金属、多层膜等。专利的自动相位延迟技术的使用,确保了测量的高度准确性。

VASE 测量参数 波长范围
反射式和透射式的椭偏测量 光谱范围:240-1100nm
透射率(T)和反射率(R)的测量 紫外扩展 193-1100nm
各相异性材料、双折射材料和相滞后材料的椭偏测量 一级近红外扩展1100-1700nm
交叉偏振R/T测量 二级近红外扩展1100-2500nm
退偏(depolarization)和散射测量 三级近红外扩展1100-3200nm
穆勒矩阵测量 变角范围:20º-90º  角度准确度:0.01º

型号:IR-VASE

IR-VASE是第一个也是唯一一个光谱覆盖范围从1.7到30微米(333到5900个波数)的光谱椭偏仪。使用Kramers-Kronig分析技术,可以确定材料在整个光谱范围的n和k值,无需外推插值。如其它Woollam椭偏谱仪一样,IR-VASE适用于薄膜或体材料,包括电介质、半导体、高分子聚合物和金属。

IR-VASE 主要技术参数
光谱范围:1.7 - 33µm 变角范围 26º-90º
信号准确度*:Tan(Ψ)=1±0.004 Cos(Δ)=1±0.0001
* 无样品直接测量入射光束,波数300到5000 cm-1
信号重复性*:Std.Dev = ±0.0004(Tan(Ψ)的标准偏差
Std.Dev = ±0.0000003(Cos(Δ)的标准偏差) * 波数2000 cm-1处

型号:VUV-VASE

VUV-VASE可变角光谱椭偏仪,是用于光刻应用材料光学性质研究的标准设备。其测量范围从深紫外(VUV)到近红外(NIR),为众多类型的材料:半导体、电介质、聚合物、金属、多层膜和液体,提供了令人难以置信的多功能研究。VUV-VASE可在所有光刻曝光波长(157 nm、193 nm和248 nm)和近红外下进行精确测量,确保了精确的光学常数(n和k)和薄膜厚度。

VUV-VASE 主要技术参数
样品尺寸:200mm 光谱范围:140-1700nm
变角范围:10º-90º(波长<300nm), 25-90º(波长>300nm)

型号:T-Solar

T-Solar是为光伏行业量身定制的一款光谱椭偏仪,结合最好的光电测量技术,专门设计用于纹理样品。基于M-2000旋转补偿光谱椭偏仪,T-Solar测量紫外-可见-红外整个波段范围的几百个波长。为了提高粗糙、纹理表面的反射性号,T-Solar使用了特殊的高强度光源和新型光强优化器,非常适用于硅表面的AR防反涂层。此外,T-Solar还配备了一个倾斜旋转工作台,用于碱性腐蚀单晶表面金字塔结构的对准。

T-Sloar 主要技术指标
波长范围:245-1000nm,470个波长点 入射角:45º-90º
样品台变角(Tilt):0º-60º

1.18 台阶仪/3D表面轮廓仪/白光干涉仪
NanoMap Series 3D Surface Profilometer

美国AEP(AEP Technology, Inc.)

NanoMap-D 双模式三维表面轮廓仪(台阶仪)
世上第一台,也是唯一同时具备探针式扫描和白光干涉扫描功能的轮廓仪。既方便分析各种材料、器件、工具等的表面形貌,又节省了宝贵的空间、费用。有些表面不适合探针测量,因为容易损伤样品;有些表面不适合干涉仪,因为相邻材料光学性质差异太大。这台设备以强有力的竞争为您提供两种选择。
3D接触式探针扫描(contact profiler) 台阶重复率 5A
fine模式Z高度范围 5μm
coarse模式Z高度范围 500μm(可选1.5mm)
Tip Scan模式(XY) 最大50μm
Stage Scan模式(XY) 最大150mm(可选200mm等)
探针压力 0.03-100mg
样品台 150*150mm(可选200*200mm等)
3D非接触光学扫描(optical profiler) 台阶重复率 1A
CCD分辨率 1024*1024/1536*1536/1920*1920
物镜 2.5x/5x/10x/20x/50x/100x
样品反光率 0.4-100%
最大样品厚度 50mm( 可选100mm)
样品台旋转 360度
样品台倾斜 4度
应力分析

 

 

NanoMap-500LS 探针三维轮廓仪(台阶仪)
型号 NanoMap-500LS NanoMap-LS NanoMap-ES
基本技术参数 具备探针扫描(Tip)和样品台扫描(Stage)两种模式,既可完成长程大面积测量,也可得到最优化的小区域二维/三维观测图。短程探针扫描采用精密的压电陶瓷驱动扫描模式,三维扫描范围从10μm X 10μm 到 500μm X 500μm,具有亚纳米级垂直分辨率(最小0.1 nm);长程样品台扫描使用高级光学参考平台,能使扫描范围达到150 mm。这两种扫描方式分别为用户提供精密和快速扫描。适用全系材料测量,几乎可以接纳任何材料表面。在扫描过程中结合彩色光学照相机,可对样品直接观察。
台阶重复率 5A
fine模式Z高度范围 5μm
coarse模式Z高度范围 500μm(可选1.5mm)
Tip Scan模式(XY) 最大500μm NO 最大500μm
Stage Scan模式(XY) 最大150mm(可选200mm等) 最大300mm
探针压力 0.03-100mg
样品台 150*150mm(可选200*200mm等) 300*300mm
最大样品厚度 50mm(可选100mm)
样品台旋转 360度
样品台倾斜 4度
应力分析 Yes

 

NanoMap-1000WLI白光干涉仪
白光干涉带来了高的分辨率、400万像素的图像、大范围扫描。可定制的波长范围,使用户可以轻松灵活地测量任何表面形貌。优点在于使用了PSI(phase shift interferometry)技术,不接触样品表面,不损伤样品表面,对表面硬度没有要求,甚至可以测试粘弹性样品。
光源 长寿命LED附带两级带通滤波光栅技术
可选物镜倍数 10x(标配),2.5x,5x, 20x,50x,100x
垂直分辨率 0.1 Å
数字放大(Digital Zoom) 1x, 2x
RMS可重复性 1 Å
垂直扫描速度 3.75 to 26um/sec (software controllable)
最大垂直测量范围 20 mm
台阶高度重复性 0.1% or 1 Å (1 sigma)
台阶重复率 1 Å
CCD分辨率 1024 x 1024(标配),1536 x 1536 ,1920x 1920
物镜 2.5x/5x/10x/20x/50x/100x
Z向扫描范围 20mm
样品反光率 1% to 100%
样品台旋转 360度
样品台倾斜 最大4度
标准样品 8μm台阶标样(选项)
样品台 150*150mm(可选300*300mm)
最大样品厚度 50mm(可选100mm)
样品台旋转 360度
样品台倾斜 4度

 

 

主要应用
  • 三维表面轮廓测量和粗糙度测量,适用于精密抛光的光学表面,也适用于质地粗糙的机加工零件。
  • 薄膜和厚膜的台阶高度测量。
  • 划痕形貌, 磨损深度、宽度和体积定量测量。
  • 空间分析和表面纹理表征。
  • 平面度和曲率测量。
  • 二维薄膜应力测量。
  • 微电子表面分析和MEMS 表征。
  • 表面质量和缺陷检测。

1.19 XRF薄膜组分、厚度分析系统
XRF Film Component and Thickness Analysis Systems

美国AXIC

Precision P-1000广泛应用于半导体、超导体、磁性材料领域。可提供快速、全自动的薄膜组分、厚度分析;为薄膜淀积工艺提供组分变化、影响等分析;一旦工艺确定,还可用于质量监控,确保组分和厚度的一致性。
型号 Precision P-1000
样品尺寸 8吋(选项12吋)
X射线光谱计 WDX 和 EDX
X射线源 30KV - 20mA
应用
  • Au、Ta、Cu
  • PSG/BPSG中的P
  • Al中的Si和Cu
  • WSix中的W
  • TiW、TiN中的Ti
  • MoSi中的Mo
  • Ti-Ni-Ag -- 薄膜组
  • Cr-Ni-Au -- 薄膜组
  • Ti-Ag-Au -- 薄膜组
  • 超导膜中的Cu、Ba、Y
  • 磁性膜中的Co、Ni、Fe
  • CoCr、CoPt、CoTa 磁性膜
  • 等等

1.20 表面接触角测量仪
Surface Contact Angle Gauge

意大利SCI自动化有限公司

CAM 2是一款桌面式手动表面接触角测量仪,适用于测量半导体基板、引线框的接触角度,验证等离子清洗工艺前、后的表面能,适用于在超净室里面使用。设备软件拥有强大的编辑功能,操作简易,并且允许在操作过程中生成报告数据。
型号 CAM 2
机器尺寸 1140 x560 x 465(高)mm
样品尺寸 最大不超过200*200*5mm
压缩空气 干,压力3—6 bar
工作台 280*280mm(选项:可升温到150℃)
行程 X 250mm
Y 250mm
Z 20mm
测量模式 基准线 设备配有 真空接口 ,17寸显示/电脑控制
弧形基准线 不锈钢基板固定针
双弧线 集成亚微升级的点滴针头
等高线 高亮 LED 背光灯 ,高清摄像头

 

1.20 表面接触角测量仪
Surface Contact Angle Gauge

意大利SCI自动化有限公司

CAM 2是一款桌面式手动表面接触角测量仪,适用于测量半导体基板、引线框的接触角度,验证等离子清洗工艺前、后的表面能,适用于在超净室里面使用。设备软件拥有强大的编辑功能,操作简易,并且允许在操作过程中生成报告数据。
型号 CAM 2
机器尺寸 1140 x560 x 465(高)mm
样品尺寸 最大不超过200*200*5mm
压缩空气 干,压力3—6 bar
工作台 280*280mm(选项:可升温到150℃)
行程 X 250mm
Y 250mm
Z 20mm
测量模式 基准线 设备配有 真空接口 ,17寸显示/电脑控制
弧形基准线 不锈钢基板固定针
双弧线 集成亚微升级的点滴针头
等高线 高亮 LED 背光灯 ,高清摄像头