芦华科技有限公司-Luva System,Inc.

1.1非接触非损伤方块电阻测量仪
Contactless Bulk Resistivity / Sheet Resistance Measurement and Mapping Systems

美国利高敦Lehighton Electronics（LEI）

美国利高敦Lehighton Electronics（LEI）生产,利用涡流原理进行非接触方块电阻测量。

应用于：所有的化合物半导体，如SiC、GaAs（外延层、半绝缘衬底、掺杂衬底、退火离子注入）、硅晶片（体硅、外延、离子注入、在高阻衬底上掺有POCl3）、金属薄膜等.

LEI 1510M40
量程	方块电阻Ω/sq	重复性%	体电阻率Ω-cm
HI	3000	2.50	200
	400	0.40	25
	15	0.20	1
LO	15	1.50	1
	2	0.50	0.1
	0.2	0.50	0.01
XL	1.5	0.70	0.1
	0.2	0.55	0.01
	0.035	0.55	0.005
备注：纯手动,不带电脑；样品尺寸15——200mm。

LEI88型
量程	方块电阻Ω/sq
HI	16 - 3,200 ohms/sq
LO	0.16 - 16.0 ohms/sq
XL	0.032 - 1.6 ohms/sq
备注：带笔记本电脑，最大样品150mm。

LEI 1510E
量程	方块电阻Ω/sq	重复性%	体电阻率Ω-cm
HI	3000	2.50	200
	600	0.40	25
	15	0.20	1
LO	15	1.50	1
	1.6	0.50	0.1
	0.16	0.50	0.01
XL	1.6	0.70	0.1
	0.16	0.55	0.01
	0.035	0.55	0.005
备注：具有MAPPING功能,2D/3D图形输出,数据输出；可选配遮光罩。2-8英寸。

LEI 1510ERP
量程	方块电阻Ω/sq	重复性%	体电阻率Ω-cm
HI	3000	2.50	200
	600	0.40	25
	15	0.20	1
LO	15	1.50	1
	1.6	0.50	0.1
	0.16	0.50	0.01
XL	1.6	0.70	0.1
	0.16	0.55	0.01
	0.035	0.55	0.005
备注：具有MAPPING功能,2D/3D图形输出,数据输出；可选配遮光罩。2-8英寸。

LEI 1510ERS
量程		方块电阻Ω/sq	重复性%	体电阻率Ω-cm
HI		3000	2.50	200
		600	0.40	25
		15	0.20	1
LO		15	1.50	1
		1.6	0.50	0.1
		0.16	0.50	0.01
XL		1.6	0.70	0.1
		0.16	0.55	0.01
		0.035	0.55	0.005
备注：1.具有MAPPING功能,2D/3D图形输出,数据输出；可选配遮光罩。2-8英寸
	2.另有300毫米、12英寸版本LEI RS300。

LEI 1800LS 平板显示及太阳能电池片专用mapping（手动）
量程	方块电阻Ω/sq
HI	15 - 3,200
LO	0.16 - 16.0
XL	0.032 - 1.6
备注：带笔记本电脑；精度+/-5%；样品7575——600600，厚度达到12mm。

LEI 1800AG Gantry 平板显示及太阳能电池片专用mapping（自动）
速率	10点每分钟
样品	最大1000mm×1100mm
mapping	Yes

1.2 非接触迁移率测量系统
Contactless Carrier Mobility/ Carrier Density/ Sheet Resistance Measurement and Mapping Systems

美国利高敦Lehighton Electronics（LEI）

参数与系统	1610E100M	1610E00AM	1610E100AM-RP
磁铁	电磁铁（1.0T）
迁移率（cm2/v.sec)	100-20000
方块电阻（ohm/sq)	100-3000
载流子面密度（cm-2）	1E11-1E14
动态重复性（迁移率/面密度）	4.0%	3.0%	3.0%
动态重复性（方块电阻）	3.0%	2.0%	2.0%
静动态重复性（迁移率/ 面密/度方块电阻）	2.0%	1.0%	1.0%
样品尺寸	2"-8"英寸
探头线圈直径	21mm(可选14mm）
Mapping功能	最多9点	最多55点	最多55点
Wafer Loading	手动	手动	自动
Wafer Positioning	手动	自动	自动

LEI-1600系列非接触迁移率测量系统是半导体生产工艺控制、产品质量监测和提高产品率的检测设备，常应用于无损测量化合物半导体材料的迁移率、载流子浓度、方块电阻。测量样品包括GaAs (pHEMT, HEMT, HBT)，GaN(HEMT，LED)，SiC，SiGe，InP，Si等的外延结构。

无需破坏、切割昂贵的样品，实现大样品mapping

无需腐蚀，不改变样品的特性

不再需要制作恼人的电极

可同时分析多层载流子

1.3 汞探针电容/电流－电压（C-V,I-V）分析仪
Mercury Probes Capacitance/Current-Voltage(C-V,I-V)
Analyzer

美国MDC

型号	尺寸	mapping	可连接的仪表包括
802B-150-6"	150mm	no	1 MHz: Boonton 7200, 1 MHz capacitance/conductance, +/- 100 Volts Variable Frequency: Agilent E4980A capacitance/conductance (20 Hz to 2 MHz), +/- 40 Volts Agilent 4285A capacitance/conductance (75 kHz to 30 MHz), +/- 40 Volts Agilent B1500A Semiconductor Device Analyzer (1 kHz to 5 MHz), +/- 25 / 100 Volts Keithley 4200 capacitance/conductance (1 Hz to 10 MHz), +/- 200 Volts Agilent 4294A Precision Impedance Analyzer (40 Hz to 110 MHz), +/- 40 Volts Quasi-static: Agilent 4140B, +/- 100 Volts (Refurbished Only) Agilent B1500A, +/- 25 / 100 Volts Keithley 4200, +/- 200 Volts Current Meters: Keithley 4200, +/- 200 Volts Keithley 2600 Series, +/- 40 or 200 Volts Keithley 2400 Series, +/- 200 / 1100 Volts Keithley 237, +/- 1100 Volts Agilent 4140B, +/- 100 Volts (Refurbished Only) Agilent B1500A Semiconductor Device Analyzer, +/- 100 Volts
802B-200-8"	200mm	no
862B-12"	300mm	yes
864B-14"	355mm	yes
可定制尺寸、定制汞接触区域 SiC及GaN测量可升级电脑定位控制(802C/862C)

1.4 四探针方块电阻测量仪（4PP）
Four-Point Probe Mapping Systems

AIT CO., LTD.

型号	测量尺寸	测量范围	测量精度	探头	电脑控制/mapping
SR1000N	8吋/140*140mm	1mohm/sq——2Mohm/sq	0.5% VLSI	英国Jandel原装探头间距：25-50mils(间隔5mils) 压力：10g/pin-250g/pin 针尖半径：12.5-500micron	LCD面板显示
SR2000N	8吋				Yes
SR2000N-PV	156*156mm
SR3000	用户定制
SR5000	12吋/210*210mm

1.5 等离子体谱线分析仪（PlasCal-2000）
Plasma spectrum analyzer

德国麦可派公司（Mikropack GmbH）

指标特点
波长范围：	200—1100nm
波长分辨率：	1nm半宽
应用：	气相薄膜沉积
	等离子体刻蚀
	表面清洁
	磁控贱射
	光学镀膜
	终点测量(End-pointing)

1.6 多功能HAWK-1000拉力、剪切力测试仪
Multifuncional HAWK-1000 Peel Force Tester

CE TEK CO., LTD.

指标特点
控制软件：	简单易用的强大Windows图形软件，功能包括控制、校准、分析、SPC等
X/Y工作台：	可定制：50--450mm
X/Y/Z/θ控制：	左右速度可控手柄（Joystick）
测试控制：	左手柄上按钮触发
工作高度回退：	右手柄上按钮触发
测试模块：	Wire 拉力模块
	Die 剪切模块
	Stud 拉力模块
	激烈碰撞模块
	钳子拉力模块等
光学影像系统：	YES
标准和认证：	JEDEC、MILS、EIA、ISO9001、ISO14001等

1.7 手持笔形HAWK-100拉力、剪切力测试仪
Hand-held Pencil HAWK-1000 Peel Force Tester

CE TEK CO., LTD.

主要特点

1. 可进行线拉力、球剪切力、Die剪切力、SMT剪切力测试

3. 拉力精度最大可达±0.2％

4. 加载选项：100g、500g、1Kg、5Kg

5. 数据LCD显示，可使用USB输出至PC

6. 可根据需要升级为手动拉力、剪切力测试机

1.8 PIND颗粒碰撞噪声测试仪（SD 4511）
Particle Impact Noise Detection

美国谱动（SPECTRAL DYNAMICS）

颗粒碰撞噪声侦测(PIND)通过碰撞电子元件,如晶体管、集成电路、混合电路、二极管、继电器和开关设备,使其内部空腔的细小颗粒松散,从而产生声音信号。PIND通过"听"声音信号来判断电子元件的完整性。

颗粒碰撞噪声侦测往往用于电子元件的完整制造,因为它被认为是检测成品经济又有效的最好方法。PIND测试已被写入最广泛应用的军用标准883-方法2020，军用标准750-方法2052，军用标准202F-方法217，军用标准39016-中,同时也被列入微电路和半导体S级别的要求。

主要技术指标
振动冲击范围：	100-2500G；（分辨率10G）
振动频率范围：	正弦25-250Hz；（分辨率1Hz）；随机波形可选
振动幅度范围：	0.1-25.50G；（分辨率0.1G）
噪声传感器灵敏度：	-77.5±3dB re 1V per Microbar at 155 kHz (ANSI 2.1-1988)
单个传感器敏感区域：	0.75” 为半径的圆形区域
工作台最多容纳噪声传感器个数：	5
工作台面尺寸：	直径50mm，100mm或150mm，或矩形台面150x50mm
最大可测器件质量：	1200Grams

1.9 薄膜应力&晶圆弯曲（翘曲）测试系统
Film Stress & Wafer Bow Measurement System

美国FSM（Frontier Semiconductor）

薄膜淀积后，随着温度降低，由于衬底与薄膜热膨胀系数差异，从而导致应力和弯曲（翘曲）。FSM集成世界领先的无损激光扫描技术，每毫米扫描40个数据点，可快速生产2D、3D彩图。
室温系统	FSM 128	最大样品直径200mm
	FSM 128L	最大样品直径300mm
	FSM 128G	最大样品550×650mm
变温系	FSM 500TC	电阻加热工作台：温度可控，最高500℃
变温系	FSM 900TC-vac	RTP型腔室：温度可控，最高900℃（可选1100℃）；真空达到 1E-6 Torr

1.10 椭偏谱仪、光谱椭偏仪

美国 J. A. Woollam Co.

型号：M-2000

无论是科研还是工业生产，M-2000丰富多样的配置（多种波长范围，多种角度变化等）一定可以满足您的不同需求。旋转补偿RCE专利技术保证测量的准确性，高速CCD传感器使全光谱扫描可在几秒钟内完成。

M-2000 主要技术参数
探测器：CCD	数据采集时间：3秒（快速模式）,10秒（标准模式）,30秒（长时模式）
信号准确度：Ψ = 45°± 0.075° Tan(Ψ)=1±0.0013 Δ = 0° ± 0.05° Cos(Δ)=1± 0.0000015 无样品直接测量入射光束，95% 的测量波长满足以上指标	厚度测量重复性：Std.Dev = 0.02 Å（标准偏差) 30次重复测量样品SiO2（25nm）/Si-sub，70°入射角
准直光束光斑：椭圆型2－5mm 最小光斑25X60微米（视不同配置而不同，以报价为准。）	自动样品移动台：XY方向 300mm X 300mm
最大样品尺寸：Φ300mm	样品最大厚度： 20mm

型号：Alpha-SE

这是一款高性价比的手动变角光谱型椭偏仪。设计紧凑，使用简易，是理想的薄膜分析工具。旋转补偿RCE专利技术保证测量的准确性，高速CCD传感器使全光谱扫描可在几秒钟内完成。

Alpha-SE 主要技术参数
光谱范围:：380nm 到 900nm (180 个波长)	探测器：CCD
入射角:：65°、70°、75° 或 90°，方便转换	计算机连接方式: USB接口
样品台高度自动调节	数据采集时间：3秒（快速模式）10秒（标准模式）30秒（长时模式）
信号准确度：Ψ = 45°± 0.1 Δ = 0° ± 0.2 无样品直接测量入射光束，98% 的测量波长满足以上指标	厚度测量重复性：Std.Dev = 0.15 Å（标准偏差） 30次重复测量样品SiO2（25nm）/Si-sub，70°入射角

型号：VASE

VASE（Variable Angle Spectroscopic Ellipsometer）变角椭偏谱仪，是精确、通用的椭偏谱仪，适用于研究、分析所有类型的材料:半导体、电介质、聚合物、金属、多层膜等。专利的自动相位延迟技术的使用，确保了测量的高度准确性。

VASE 测量参数	波长范围
反射式和透射式的椭偏测量	光谱范围：240-1100nm
透射率（T）和反射率（R）的测量	紫外扩展 193－1100nm
各相异性材料、双折射材料和相滞后材料的椭偏测量	一级近红外扩展1100－1700nm
交叉偏振R/T测量	二级近红外扩展1100－2500nm
退偏（depolarization）和散射测量	三级近红外扩展1100－3200nm
穆勒矩阵测量	变角范围：20º－90º 角度准确度：0.01º

型号：IR-VASE

IR-VASE是第一个也是唯一一个光谱覆盖范围从1.7到30微米(333到5900个波数)的光谱椭偏仪。使用Kramers-Kronig分析技术，可以确定材料在整个光谱范围的n和k值，无需外推插值。如其它Woollam椭偏谱仪一样，IR-VASE适用于薄膜或体材料，包括电介质、半导体、高分子聚合物和金属。

IR-VASE 主要技术参数
光谱范围：1.7 - 33µm	变角范围 26º－90º
信号准确度：Tan(Ψ)＝1±0.004 Cos(Δ)＝1±0.0001 无样品直接测量入射光束，波数300到5000 cm-1	信号重复性：Std.Dev = ±0.0004（Tan(Ψ)的标准偏差 Std.Dev = ±0.0000003（Cos(Δ)的标准偏差）波数2000 cm-1处

型号：VUV-VASE

VUV-VASE可变角光谱椭偏仪，是用于光刻应用材料光学性质研究的标准设备。其测量范围从深紫外(VUV)到近红外(NIR)，为众多类型的材料:半导体、电介质、聚合物、金属、多层膜和液体，提供了令人难以置信的多功能研究。VUV-VASE可在所有光刻曝光波长(157 nm、193 nm和248 nm)和近红外下进行精确测量，确保了精确的光学常数(n和k)和薄膜厚度。

VUV-VASE 主要技术参数
样品尺寸：200mm	光谱范围：140-1700nm
变角范围：10º－90º（波长<300nm）, 25－90º（波长>300nm）

型号：T-Solar

T-Solar是为光伏行业量身定制的一款光谱椭偏仪，结合最好的光电测量技术，专门设计用于纹理样品。基于M-2000旋转补偿光谱椭偏仪，T-Solar测量紫外-可见-红外整个波段范围的几百个波长。为了提高粗糙、纹理表面的反射性号，T-Solar使用了特殊的高强度光源和新型光强优化器，非常适用于硅表面的AR防反涂层。此外，T-Solar还配备了一个倾斜旋转工作台，用于碱性腐蚀单晶表面金字塔结构的对准。

T-Sloar 主要技术指标
波长范围：245－1000nm，470个波长点	入射角：45º－90º
样品台变角（Tilt）：0º－60º

1.11 台阶仪/3D表面轮廓仪/白光干涉仪
NanoMap Series 3D Surface Profilometer

美国AEP（AEP Technology, Inc.）

NanoMap-D 双模式三维表面轮廓仪（台阶仪）
世上第一台，也是唯一同时具备探针式扫描和白光干涉扫描功能的轮廓仪。既方便分析各种材料、器件、工具等的表面形貌，又节省了宝贵的空间、费用。有些表面不适合探针测量，因为容易损伤样品；有些表面不适合干涉仪，因为相邻材料光学性质差异太大。这台设备以强有力的竞争为您提供两种选择。
3D接触式探针扫描(contact profiler)	台阶重复率	5A
	fine模式Z高度范围	5μm
	coarse模式Z高度范围	500μm(可选1.5mm)
	Tip Scan模式(XY)	最大50μm
	Stage Scan模式(XY)	最大150mm(可选200mm等)
	探针压力	0.03-100mg
	样品台	150150mm(可选200200mm等)
3D非接触光学扫描(optical profiler)	台阶重复率	1A
	CCD分辨率	10241024/15361536/1920*1920
	物镜	2.5x/5x/10x/20x/50x/100x
	样品反光率	0.4-100%
最大样品厚度		50mm( 可选100mm)
样品台旋转		360度
样品台倾斜		4度
应力分析

NanoMap-500LS 探针三维轮廓仪（台阶仪）
型号	NanoMap-500LS	NanoMap-LS	NanoMap-ES
基本技术参数	具备探针扫描(Tip)和样品台扫描(Stage)两种模式，既可完成长程大面积测量，也可得到最优化的小区域二维/三维观测图。短程探针扫描采用精密的压电陶瓷驱动扫描模式，三维扫描范围从10μm X 10μm 到 500μm X 500μm，具有亚纳米级垂直分辨率（最小0.1 nm）；长程样品台扫描使用高级光学参考平台，能使扫描范围达到150 mm。这两种扫描方式分别为用户提供精密和快速扫描。适用全系材料测量，几乎可以接纳任何材料表面。在扫描过程中结合彩色光学照相机，可对样品直接观察。
台阶重复率	5A
fine模式Z高度范围	5μm
coarse模式Z高度范围	500μm(可选1.5mm)
Tip Scan模式(XY)	最大500μm	NO	最大500μm
Stage Scan模式(XY)	最大150mm(可选200mm等)		最大300mm
探针压力	0.03-100mg
样品台	150150mm(可选200200mm等)		300*300mm
最大样品厚度	50mm(可选100mm)
样品台旋转	360度
样品台倾斜	4度
应力分析	Yes

NanoMap-1000WLI白光干涉仪
白光干涉带来了高的分辨率、400万像素的图像、大范围扫描。可定制的波长范围，使用户可以轻松灵活地测量任何表面形貌。优点在于使用了PSI（phase shift interferometry）技术，不接触样品表面，不损伤样品表面，对表面硬度没有要求，甚至可以测试粘弹性样品。
光源	长寿命LED附带两级带通滤波光栅技术
可选物镜倍数	10x（标配），2.5x，5x， 20x，50x，100x
垂直分辨率	0.1 Å
数字放大（Digital Zoom）	1x, 2x
RMS可重复性	1 Å
垂直扫描速度	3.75 to 26um/sec (software controllable)
最大垂直测量范围	20 mm
台阶高度重复性	0.1% or 1 Å (1 sigma)
台阶重复率	1 Å
CCD分辨率	1024 x 1024（标配），1536 x 1536 ，1920x 1920
物镜	2.5x/5x/10x/20x/50x/100x
Z向扫描范围	20mm
样品反光率	1% to 100%
样品台旋转	360度
样品台倾斜	最大4度
标准样品	8μm台阶标样（选项）
样品台	150150mm(可选300300mm)
最大样品厚度	50mm(可选100mm)
样品台旋转	360度
样品台倾斜	4度

主要应用	三维表面轮廓测量和粗糙度测量，适用于精密抛光的光学表面，也适用于质地粗糙的机加工零件。薄膜和厚膜的台阶高度测量。划痕形貌，磨损深度、宽度和体积定量测量。空间分析和表面纹理表征。平面度和曲率测量。二维薄膜应力测量。微电子表面分析和MEMS 表征。表面质量和缺陷检测。

1.12 XRF薄膜组分、厚度分析系统
XRF Film Component and Thickness Analysis Systems

美国AXIC

Precision P-1000广泛应用于半导体、超导体、磁性材料领域。可提供快速、全自动的薄膜组分、厚度分析；为薄膜淀积工艺提供组分变化、影响等分析；一旦工艺确定，还可用于质量监控，确保组分和厚度的一致性。
型号	Precision P-1000
样品尺寸	8吋(选项12吋)
X射线光谱计	WDX 和 EDX
X射线源	30KV - 20mA
应用	Au、Ta、Cu PSG/BPSG中的P Al中的Si和Cu WSix中的W TiW、TiN中的Ti MoSi中的Mo	Ti-Ni-Ag -- 薄膜组 Cr-Ni-Au -- 薄膜组 Ti-Ag-Au -- 薄膜组超导膜中的Cu、Ba、Y 磁性膜中的Co、Ni、Fe CoCr、CoPt、CoTa 磁性膜等等

1.13 表面接触角测量仪
Surface Contact Angle Gauge

意大利SCI自动化有限公司

CAM 2是一款桌面式手动表面接触角测量仪，适用于测量半导体基板、引线框的接触角度，验证等离子清洗工艺前、后的表面能，适用于在超净室里面使用。设备软件拥有强大的编辑功能，操作简易，并且允许在操作过程中生成报告数据。
型号	CAM 2
机器尺寸	1140 x560 x 465(高)mm
样品尺寸	最大不超过2002005mm
压缩空气	干，压力3—6 bar
工作台	280*280mm(选项：可升温到150℃)
行程	X	250mm
	Y	250mm
	Z	20mm
测量模式	基准线	设备配有	真空接口 ,17寸显示/电脑控制
	弧形基准线		不锈钢基板固定针
	双弧线		集成亚微升级的点滴针头
	等高线		高亮 LED 背光灯 ,高清摄像头

1.14 TFProbe MSP300

Angstrom Sun Technologies Inc

Model	MSP300R-M150
Detector	CCD Array with 2048 pixels
Light Source	Halogen Lamp
Automatic Stage	Black Anodized Aluminum Alloy with 6”x6” net travel distance and 0.1µm resolution, program controlled
Long Working Distance Objectives	10x, 50x
Communication	USB
Digital Imaging	1280x1000 Pixels
Measurement Type	Reflection spectra, Film thickness/refractive index and feature dimensions
Computer	Intel Duo Core Processor with 200GB Hard drive and DVD+RW Burner plus 19” LCD Monitor or Laptop equivalent
Software	TFProbe 2.4
Dimension	20’x20’x24’ (Table top setup)
Weight	~120 lbs total
Power	110– 240 VAC /50-60Hz, 3A
Warranty	One year labor and parts

1.1非接触非损伤方块电阻测量仪Contactless Bulk Resistivity / Sheet Resistance Measurement and Mapping Systems

美国利高敦Lehighton Electronics（LEI）

1.2 非接触迁移率测量系统Contactless Carrier Mobility/ Carrier Density/ Sheet Resistance Measurement and Mapping Systems

美国利高敦Lehighton Electronics（LEI）

1.3 汞探针电容/电流－电压（C-V,I-V）分析仪 Mercury Probes Capacitance/Current-Voltage(C-V,I-V)Analyzer

美国MDC

AIT CO., LTD.

德国麦可派公司（Mikropack GmbH）

CE TEK CO., LTD.

美国谱动（SPECTRAL DYNAMICS）

美国FSM（Frontier Semiconductor）

1.10 椭偏谱仪、光谱椭偏仪

美国 J. A. Woollam Co.

美国AXIC

意大利SCI自动化有限公司

Angstrom Sun Technologies Inc

1.1非接触非损伤方块电阻测量仪
Contactless Bulk Resistivity / Sheet Resistance Measurement and Mapping Systems

1.2 非接触迁移率测量系统
Contactless Carrier Mobility/ Carrier Density/ Sheet Resistance Measurement and Mapping Systems

1.3 汞探针电容/电流－电压（C-V,I-V）分析仪
Mercury Probes Capacitance/Current-Voltage(C-V,I-V)
Analyzer